場(chǎng)效應(yīng)管的特性是什么？

1
、場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件
，它通過VAH(柵源電壓)來控制ID（漏極電流）；

2、場(chǎng)效應(yīng)管的控制輸入端電流極小，因此它的輸入電阻（107～1012Ω）很大
。

3 、利用多數(shù)載流子導(dǎo)電 ，因此它的溫度穩(wěn)定性較好；

4
、組成的放大電路的電壓放大系數(shù)要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數(shù)；

5、場(chǎng)效應(yīng)管的抗輻射能力強(qiáng)；

6 、由于它不存在雜亂運(yùn)動(dòng)的電子擴(kuò)散引起的散粒噪聲
，所以噪聲低。

擴(kuò)展資料：

場(chǎng)效應(yīng)管分為接合型場(chǎng)效應(yīng)管和MOS型場(chǎng)效應(yīng)管兩類 。

接合型場(chǎng)效應(yīng)管即使柵極電壓為零，也有電流流通 ，因此用于恒定電流源或因低噪音而用于音頻放大器等
。

MOS型場(chǎng)效應(yīng)管因其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單
、速度快
，且柵極驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單、具有耐破壞力強(qiáng)等特征，而且使用微細(xì)加工技術(shù)的話 ，即可直接提高性能
，因此被廣泛使用于由LSI的基礎(chǔ)器件等高頻器件到功率器件（電力控制器件）等的領(lǐng)域中。

參考資料來源：百度百科——場(chǎng)效應(yīng)管

mos管是什么原理 ，起什么作用的

MOS管的原理：

它是利用VAH來控制“感應(yīng)電荷”的多少
，以改變由這些“感應(yīng)電荷 ”形成的導(dǎo)電溝道的狀況，然后達(dá)到控制漏極電流的目的 。在制造管子時(shí) ，通過工藝使絕緣層中出現(xiàn)大量正離子，故在交界面的另一側(cè)能感應(yīng)出較多的負(fù)電荷
，這些負(fù)電荷把高滲雜質(zhì)的N區(qū)接通，形成了導(dǎo)電溝道 ，即使在VAH=0時(shí)也有較大的漏極電流ID
。當(dāng)柵極電壓改變時(shí)
，溝道內(nèi)被感應(yīng)的電荷量也改變，導(dǎo)電溝道的寬窄也隨之而變 ，因而漏極電流ID隨著柵極電壓的變化而變化。

作用：

1 、可應(yīng)用于放大電路 。由于MOS管放大器的輸入阻抗很高
，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器
。

2
、很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作阻抗變換 。

3、可以用作可變電阻
。

4 、可以方便地用作恒流源。

5
、可以用作電子開關(guān) 。

簡(jiǎn)介：

mos管 ，即在集成電路中絕緣性場(chǎng)效應(yīng)管。是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管
?；蛘叻Q是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的
，都是在P型backgate中形成的N型區(qū) 。在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的 ，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能
。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的。

結(jié)構(gòu)特點(diǎn)：

MOS管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)如下圖所示;其導(dǎo)通時(shí)只有一種極性的載流子(多子)參與導(dǎo)電
，是單極型晶體管 。導(dǎo)電機(jī)理與小功率MOS管相同，但結(jié)構(gòu)上有較大區(qū)別 ，小功率MOS管是橫向?qū)щ娖骷?，功率MOSFET大都采用垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu)
，又稱為VMOSFET，大大提高了MOSFET器件的耐壓和耐電流能力
。

?

n溝道m(xù)os管? ? ? ? ? ? ? ? ?

p溝道m(xù)os管

其主要特點(diǎn)是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層 ，因此具有很高的輸入電阻
，該管導(dǎo)通時(shí)在兩個(gè)高濃度n擴(kuò)散區(qū)間形成n型導(dǎo)電溝道。n溝道增強(qiáng)型MOS管必須在柵極上施加正向偏壓，且只有柵源電壓大于閾值電壓時(shí)才有導(dǎo)電溝道產(chǎn)生的n溝道MOS管 。n溝道耗盡型MOS管是指在不加?xùn)艍?柵源電壓為零)時(shí) ，就有導(dǎo)電溝道產(chǎn)生的n溝道MOS管
。

MOS管是做什么的？有什么作用？

MOS場(chǎng)效應(yīng)管屬于電壓控制元件mos場(chǎng)效應(yīng)管屬于什么控制器件
，這一點(diǎn)類似于電子管mos場(chǎng)效應(yīng)管屬于什么控制器件的三極管，但它mos場(chǎng)效應(yīng)管屬于什么控制器件的構(gòu)造與工作原理和電子管是截然不同mos場(chǎng)效應(yīng)管屬于什么控制器件的。

通常被用于放大電路或開關(guān)電路 。而在主板上的電源穩(wěn)壓電路中 ，MOS主要是判斷電位
，它在主板上常用“Q
”加數(shù)字表示
。

場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)，它是在一塊N型半導(dǎo)體的兩邊 雜質(zhì)擴(kuò)散出高濃度的P型  ，用P 在漏、源極間加上正向電壓
，N區(qū)中的多子（也 電子） 導(dǎo)電。 從源極S出發(fā)，流向漏極D 。電流方向由D指向S

O O O

I -------I--------------I------------------I----------I

I 源極S 柵極 K 　漏極D I

I N + P+ N+ I

i----------------------------------------------------I-

三極管和場(chǎng)效應(yīng)管是什么控制器件

三極管和場(chǎng)效應(yīng)管是在放大 、開關(guān)電路中應(yīng)用非常普遍的電子元件。

1、三極管

最初發(fā)明的是三極管 ，以其優(yōu)異的性能迅速代替了電子管，但后來在應(yīng)用中三極管暴露出一些先天不足--結(jié)構(gòu)上問題所導(dǎo)致的缺陷
，在這種形勢(shì)下迫切要求制造一種能夠克服三極管缺陷的晶體管，于是場(chǎng)效應(yīng)管就應(yīng)用而生了
。

2
、場(chǎng)效應(yīng)管

最大特點(diǎn)就是輸入阻抗極高 ，這是三極管無法比擬的
，然而它的出現(xiàn)并沒有像晶體管淘汰電子管一樣而完全取代三極管，它也不是萬能的 ，在有些方面不如三極管
，因此不能籠統(tǒng)的說誰好誰不好。

由于場(chǎng)效應(yīng)管是在三極管的基礎(chǔ)上研制而成的，所以它許多方面和三極管有相似的地方 ，二者珠聯(lián)璧合應(yīng)用廣泛 。

擴(kuò)展資料：

三極管和場(chǎng)效應(yīng)管的區(qū)別

1、電極區(qū)別

三極管有基極b 、發(fā)射極e
、集電極c三個(gè)電極
，場(chǎng)效應(yīng)管也有G極、源極S 、漏極D三個(gè)電極，它們二者有對(duì)應(yīng)關(guān)系 ，電極的作用相似
，即基極-柵極都是控制極，發(fā)射極對(duì)應(yīng)源極 ，集電極對(duì)應(yīng)漏極，都是被控電極
。

2
、控制類型

三極管是電流控制型器件
，也就是通過基極電流的變化控制集電極電流的變化；場(chǎng)效應(yīng)管屬于電壓控制型器件，也就是通過柵極電壓的變化來控制源漏極電流大小。

二者的工作原理是不同的 ，三極管是通過基極電流來控制集電極電流大小的
，而場(chǎng)效應(yīng)管是通過柵壓改變導(dǎo)電溝道的寬度來控制電流的變化 。

3、阻抗差別

三極管輸入阻抗較低，在幾百歐姆-幾千歐姆之間 ，基極電流較大
，輸出電阻較高，對(duì)前級(jí)電路影響較大 ，阻抗不匹配時(shí)幾乎不能工作；場(chǎng)效應(yīng)管的輸入阻抗極高
，達(dá)到兆歐以上，MOS管更高 ，柵極幾乎沒有電流
，對(duì)前級(jí)電路影響較小，和三極管一樣輸出電阻也較高
。

mos管的作用是什么

目前主板或顯卡上使用的MOS管并不太多 ，一般有10個(gè)左右。主要原因是大部分MOS管集成在IC芯片中 。因?yàn)镸OS管主要為配件提供穩(wěn)定的電壓，所以一般用在CPU 、AGP插槽
、內(nèi)存插槽附近
。其中
，CPU和AGP插槽附近布置了一組MOS管，而內(nèi)存插槽共用一組MOS管。一般來說 ，MOS管兩個(gè)一組出現(xiàn)在主板上 。工作原理雙極晶體管將輸入端的小電流變化放大
，然后在輸出端輸出大的電流變化
。雙極晶體管的增益定義為輸出電流與輸入電流之比(β)。另一種晶體管叫FET，把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化 。它們是電流控制裝置和電壓控制裝置。FET的增益等于其跨導(dǎo))gm ，跨導(dǎo)定義為輸出電流的變化與輸入電壓的變化之比
。FET的名字也來源于它的輸入柵極(稱為gate)
，它通過在絕緣層(氧化物SIO2)上投射電場(chǎng)來影響流經(jīng)晶體管的電流。實(shí)際上沒有電流流過這個(gè)絕緣體(只是電容的作用)，所以FET的柵極電流很小(電容的電流損耗) 。最常見的FET在柵電極下使用一薄層二氧化硅作為絕緣體
。這種晶體管被稱為金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管 ，或金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)。

關(guān)于mos場(chǎng)效應(yīng)管屬于什么控制器件和mos場(chǎng)效應(yīng)管工作原理的介紹到此就結(jié)束了
，不知道你從中找到你需要的信息了嗎 ？如果你還想了解更多這方面的信息，記得收藏關(guān)注本站 。