mos管的工作原理

目前主板或顯卡上使用mos管場效應管的工作原理及結構的MOS管并不太多mos管場效應管的工作原理及結構，一般有10個左右。主要原因是大部分MOS管集成在IC芯片中 。因為MOS管主要為配件提供穩(wěn)定mos管場效應管的工作原理及結構的電壓 ，所以一般用在CPU、AGP插槽 、內存插槽附近
。仔清其中
，CPU和AGP插槽附近布置mos管場效應管的工作原理及結構了一組MOS管，而內存插槽共用一組MOS管。一般來說 ，MOS管兩個一組出現(xiàn)在主板上 。工作原理雙極晶體管將輸入端的小電流變化放大，然后在輸出端輸出大的電流變化。雙極晶體管的增益定義為輸出電流與輸入電流之比(β)
。另一種晶體管叫FET
，把輸入電壓的變化轉化為輸出電流的變化。它們是電流控制裝置和電壓控制裝置 。FET的增益等于其跨導)gm，跨導定義為輸出電流的變化與輸入電壓的變化之比
。FET的名字也來源于它的輸入柵極(稱為gate) ，它通過在絕緣層(氧化物SIO2)上投射電場來影響流經晶體管的電流。實際上沒有電念褲前流流過這個絕緣體(只是電容的作用)
，所以FET的柵極電流很小(電容的電流損耗) 。最常見的FET在柵電極純戚下使用一薄層二氧化硅作為絕緣體
。這種晶體管被稱為金屬氧化物半導體(MOS)晶體管，或金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)。

場效應管的工作原理和基本結構是什么？

場效應管（FETmos管場效應管的工作原理及結構 ，F(xiàn)ield Effect Transistor)電壓產生mos管場效應管的工作原理及結構的電場來控制管子工作的 ?，F(xiàn)在最常用的是MOSFET（M是金屬mos管場效應管的工作原理及結構
，O是氧化物，S是半導體） ，三者恰好形成一個電容
，中間的氧化物作為電容的電介質
。

電子往電勢高的地方（正極）流動聚集，空穴向電勢低的地方（負極）流動聚集。

以N管為例mos管場效應管的工作原理及結構：

（1）在不加電仔笑源的情況下 ，源極和漏極都充滿mos管場效應管的工作原理及結構了電子
，是N型半導體，而它們之間的襯底卻是P型半導體 ，相當于兩個反串的PN結，電阻很大 。也可以理解為兩個導體被中間的襯底隔離開了
。此時無法導電。

（2）在柵極上加上一個正電壓之后
，這個電壓在柵極和襯底之間形成了一個柵極指向襯底的電場，這個電場吸引電子 ，使電子在柵氧化層下方聚集
，同時將空穴排斥開 。隨著柵壓的升高，電子的濃度越來越大 ，空穴濃度越來越小。本來柵氧化層邊緣的襯底為P型半導體
，空穴濃度大于電子濃度，但是當柵極電壓加到一定程度（Vth）時 ，電子的濃度開始超過空穴濃度
，此時P型襯底變?yōu)镹型襯底，也就是變成“溝道 ”將源極和漏極連起來了 ，此時就可以導電了
。

（3）柵極的電壓必須比源極或漏極高一個Vth
，對應端的溝道才能導通，不然就會夾斷。導通部分電阻很小 ，夾斷部分電阻非常大（即空間電荷區(qū)） 。

（4）溝道兩端同時談晌夾斷，就工作在截止區(qū)；只有一端夾斷
，就工作在飽和區(qū)；沒有夾斷，就工作在線性區(qū)
。截止區(qū)就相當于斷開不工作 ，飽和區(qū)相當于一個電流源
，線性區(qū)相當于一個電阻。

總之，場效應管就是靠這個“溝道
”來工作的 ，沒有“溝念侍含道”就休眠了 。

mos管是什么原理，起什么作用的

MOS管的原理：

它是利用VAH 來控制“扮凳感應電荷 ”的多少 ，以改變由這些“感應電荷”形成的導電溝道的狀況
，然后達到控制漏極電流的目的
。在制造管子時，通過工藝使絕緣層中出現(xiàn)大量正離子 ，故在交界面的另一側能感應出較多的負電荷
，這些負電荷把高滲雜質的N區(qū)接通，形成了導電溝道 ，即使在VAH =0時也有較大的漏極電流ID。當柵極電壓改變時，溝道內被感應的電荷量也改變
，導電溝道的寬窄也隨之而變，因而漏極電流ID隨著柵極電壓的變化而變化 。

作用：

1
、可應用于放大電路
。由于MOS管放大器的輸入阻抗很高 ，因此耦合電容可以容量較小
，不必使用電解電容器。

2、很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換 。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換
。

3 、可以用作可變電阻。

4、可以方便地用作恒流源 。

5
、可以用作電子開關。

簡介：

mos管，即在集成電路中絕緣性場效應管
。是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導體(semiconductor)場效應晶體管?；蛘叻Q是金屬—絕緣體(insulator)—半導體 。MOS管的source和drain是可以對調的 ，都是在P型backgate中形成的N型區(qū)
。在多數(shù)情況下
，這個兩個區(qū)是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的 。

結譽滑構特點：

MOS管的內部結構如下圖所示;其導通時只有一種極性的載流子(多慶缺臘子)參與導電 ，是單極型晶體管
。導電機理與小功率MOS管相同
，但結構上有較大區(qū)別，小功率MOS管是橫向導電器件 ，功率MOSFET大都采用垂直導電結構
，又稱為VMOSFET，大大提高了MOSFET器件的耐壓和耐電流能力。

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n溝道m(xù)os管? ? ? ? ? ? ? ? ?

p溝道m(xù)os管

其主要特點是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層 ，因此具有很高的輸入電阻，該管導通時在兩個高濃度n擴散區(qū)間形成n型導電溝道 。n溝道增強型MOS管必須在柵極上施加正向偏壓
，且只有柵源電壓大于閾值電壓時才有導電溝道產生的n溝道MOS管
。n溝道耗盡型MOS管是指在不加柵壓(柵源電壓為零)時，就有導電溝道產生的n溝道MOS管。

mos晶體管結構及工作原理

1. MOS管工作原理--MOS管簡介

MOS管 ，即在集成電路中絕緣性場效應管 。MOS英文全稱為Metal-Oxide-Semiconductor即金屬-氧化物-半導體
，確切的說，這個名字描述了集成電路中MOS管的結構 ，即：在一定結構的半導體器件上
，加上二氧化硅和金屬，形成柵極
。MOS管的source和drain是可以對調的 ，都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下
，兩個區(qū)是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的性能,這樣的器件被認為是對稱的 。

2. MOS管工作原理--Mos管的結構特點

MOS管的內部結構如旅則下圖所示;其導通時只有一種極性的載流子(多子)參與導電 ，是單極型晶體管。導電機理與小功率MOS管相同
，但結構上有較大區(qū)別，小功率MOS管是橫向導電器件 ，功率MOSFET大都采用垂直導電結構，又稱為VMOSFET
，大大提高了MOSFET器件的耐壓和耐電流能力
。

　其主要特點是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，因此具有很高的輸入電阻 ，該管導通時在兩個高濃度n擴散區(qū)間形成n型導電溝道。n溝道增強型MOS管必須在柵轎枯極上施加正向偏壓
，且只有柵源電壓大于閾值電壓時才有導電溝道產生的n溝道MOS管 。n溝道耗盡型MOS管是指在不加柵壓(柵源電壓為零)時，就有導電溝道產生的n溝道MOS管
。

3. MOS管工作原理

MOS管的工作原理(以N溝道增強型MOS場效應管)它是利用VAH 來控制“感應電荷
”的多少 ，以改變由這些“感應電荷”形成的導電溝道的狀況
，然后達到控制漏極電流的目的。在制造管子時，通過工藝使絕緣層中出現(xiàn)大量正離子 ，故在交界面的另一側能感應出較多的負電荷
，這些負電荷把高滲雜質的N區(qū)接通，形成了導電溝道 ，即使在VAH =0時也有較大的漏極電流ID 。當柵極電壓改變時
，溝道內被感應的電荷量也改變，導電溝道的寬窄也隨之而變 ，因而漏極電流閉鎮(zhèn)洞ID隨著柵極電壓的變化而變化
。

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