場(chǎng)效應(yīng)管（MOS）三個(gè)腳怎么區(qū)分？N和P怎么區(qū)分？

場(chǎng)效應(yīng)管

的

柵極

相當(dāng)于

晶體管

的

基極

，源極和漏極分別對(duì)應(yīng)于晶體管的

發(fā)射極

和

集電極

。將

萬用表

置于R×1k檔 ，用兩

表筆

分別測(cè)量每?jī)蓚€(gè)管腳間的正 、

反向

電阻

 。當(dāng)某兩個(gè)管腳間的正
、反向電阻相等
，均為數(shù)KΩ時(shí)，則這兩個(gè)管腳為漏極D和源極S（可互換） ，余下的一個(gè)管腳即為柵極G
。

根據(jù)場(chǎng)效應(yīng)管的

PN結(jié)

正、反向電阻值不一樣的數(shù)核現(xiàn)象
，可以判別出

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管

的三個(gè)電極：若兩次測(cè)出的電阻值均很大，說明是PN結(jié)的反向 ，即都是反向電阻
，可以判定是N

溝道

場(chǎng)效應(yīng)管，且薯迅掘

黑表

筆接的是柵極；若兩次測(cè)出的電阻值均很小 ，說明是正向PN結(jié)，

即是

正向電阻

，判定為P溝道場(chǎng)效昌逗應(yīng)管，黑表筆接的也是柵極。

mos管至少有四個(gè)引腳
，四個(gè)引腳分別怎么用？

MOS管只有四個(gè)引腳，即漏極 、柵極
、源極和襯底 。

NMOS和PMOSmos管三個(gè)引腳怎么區(qū)分的接法是不一樣的
。

NMOSmos管三個(gè)引腳怎么區(qū)分：漏極→輸出信號(hào)、柵極→輸入信號(hào) 、源極→低電平(或地)
、襯悔穗稿底→低電平(或地)。

PMOSmos管三個(gè)引腳怎么區(qū)分：漏極→輸出信號(hào)、柵極碧孝→輸入信號(hào) 、源極→高電平(或電源)、襯底→高電族睜平(或電源) 。

MOS管有用的管腳就是三個(gè)mos管三個(gè)引腳怎么區(qū)分：源極
、漏極、柵極
。多余的管腳或者是同名管腳（在內(nèi)部和漏極 、柵極相連 ，特別是有些大功率管）
，或者是空腳（沒有內(nèi)部連接，只起焊接固定作用）。

MOS管的引腳
，G 、S
、D分別代表什么？

Gmos管三個(gè)引腳怎么區(qū)分：gate

柵極；S：source

源極；D：drain

漏極 。N溝道mos管三個(gè)引腳怎么區(qū)分的電源一般握茄接在Dmos管三個(gè)引腳怎么區(qū)分，輸出Smos管三個(gè)引腳怎么區(qū)分 ，P溝道的電源一般接在S
，輸出D。增強(qiáng)耗盡接法基本一樣
。

晶體管有N型channel所有它稱為N-channel

MOS管，或NMOS。P-channel

MOS（PMOS）管也段模察存在 ，是一個(gè)由輕摻雜的N型BACKGATE和P型source和drain組成的PMOS管 。

擴(kuò)展資碼顫料

mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體
。

MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的
，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的 ，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能 。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的
。

參考資料mos管_搜狗百科

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