mos場效應(yīng)管p型和n型如何區(qū)分？

MOS場效應(yīng)管分J型，增強(qiáng)型 ，耗盡型。一般來說N溝道是導(dǎo)電溝道是N型半導(dǎo)體
，P溝道是P型半導(dǎo)體，然后再區(qū)分柵極壓降是要正開啟還是負(fù)開啟 。

mos場效應(yīng)管在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層 ，因此具有極高的輸入電阻
。

結(jié)型場效應(yīng)管在柵極與溝道之間是反偏的pn結(jié)形成的門極電壓控制。所以輸入電阻不及mos場效應(yīng)管 。

場效應(yīng)管

簡介

場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應(yīng)管
。主要有兩種類型（junction FET—JFET)和金屬 -

氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（metal-oxide semiconductor FET
，簡稱MOS-FET）。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管 。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高（107～1015Ω）、噪聲小 、功耗低
、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成 、沒有二次擊穿現(xiàn)象
、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn) ，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競爭者
。

特點(diǎn)

與雙極型晶體管相比，場效應(yīng)管具有如下特點(diǎn)。

場效應(yīng)管是電壓控制器件
，它通過VAH(柵源電壓)來控制ID（漏極電流）；

場效應(yīng)管的控制輸入端電流極小，因此它的輸入電阻（107～1012Ω）很大 。

它是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電 ，因此它的溫度穩(wěn)定性較好；

它組成的放大電路的電壓放大系數(shù)要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數(shù)；

場效應(yīng)管的抗輻射能力強(qiáng)；

由于它不存在雜亂運(yùn)動(dòng)的電子擴(kuò)散引起的散粒噪聲
，所以噪聲低
。

作用

場效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小 ，不必使用電解電容器 。

場效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換
。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。

場效應(yīng)管可以用作可變電阻 。

場效應(yīng)管可以方便地用作恒流源
。

場效應(yīng)管可以用作電子開關(guān)。

場效應(yīng)管n道溝和p道溝怎么區(qū)分？

mos管的電路符號

1）G、D 、S極怎么區(qū)分？

G極是比較好區(qū)分的mos管n溝道與p溝道區(qū)別
，大家一眼就能區(qū)分 。

不論是P溝道m(xù)os管還是N溝道，兩根線相交的就是S極
。

不論是P溝道還是N溝道 ，單獨(dú)引線的那邊就是D極。

2）N、P溝道如何區(qū)分？

箭頭指向G極的就是N溝道 。

箭頭背向G極的就是P溝道。

3）寄生二極管方向

N溝道
，由S極指向D極
。

P溝道，由D極指向S極。

MOS管導(dǎo)通條件

N溝道mos管n溝道與p溝道區(qū)別：UgUs時(shí)導(dǎo)通 。（簡單認(rèn)為）Ug=Us時(shí)截止
。

P溝道：UgUs時(shí)導(dǎo)通。（簡單認(rèn)為）Ug=Us時(shí)截止 。

注意一點(diǎn) ，MOS管做開關(guān)器件的時(shí)候
，輸入輸出一定不能接反，接反的寄生二極管一直處于導(dǎo)通狀態(tài) ，MOS本身就失去開關(guān)的作用了
。

更多請 ：

MOSFET-P和MOSFET-N區(qū)別在那里？謝謝了

MOSFET-P和MOSFET-N的區(qū)別：

1
、MOSFET-P是P溝道，MOSFET-N是N溝道；

2、為了能正常工作
，NMOS管外加的Vds必須是正值，開啟電壓VT也必須是正值 ，實(shí)際電流方向?yàn)榱魅肼O。

而與NMOS不同
，PMOS管外加的Vds必須是負(fù)值，開啟電壓VT也必須是負(fù)值 ，實(shí)際電流方向?yàn)榱鞒雎O 。

N溝道和P溝道MOSFET分為增強(qiáng)型和耗盡型
。

如圖為增強(qiáng)型N溝道 、P溝道MOSFET。

P MOSFET除了代表襯底的B的箭頭方向外
，其他部分均與NMOS相同 。

N溝道增加型MOSFET管溝道產(chǎn)生的條件為：VAH 大于等于 VT

可變電阻區(qū)與飽和區(qū)的界線為? VDS= VAH-VT
。

在可變電阻區(qū)內(nèi)：VAH =VT， VDS? = VAH-VT。

在飽和區(qū)內(nèi)：?????? VAH=VT ，?? VDS? = VAH-VT 。

P溝道增加型MOSFET管溝道產(chǎn)生的條件為：VAH 小于等于 VT

可變電阻區(qū)與飽和區(qū)的界線為? VDS= VAH-VT。

在可變電阻區(qū)內(nèi)：VAH =VT
， VDS = VAH-VT
。

在飽和區(qū)內(nèi)：?????? VAH=VT， VDS? = VAH-VT。

關(guān)于mos管n溝道與p溝道區(qū)別和p溝道和n溝道的mos管的原理圖片的介紹到此就結(jié)束了 ，不知道你從中找到你需要的信息了嗎 ？如果你還想了解更多這方面的信息
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