怎么用萬用表測(cè)量mos管的好壞?

以N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管5N60C為例4腳mos管測(cè)好壞 ，來詳細(xì)介紹一下具體4腳mos管測(cè)好壞的測(cè)量方法。

1.N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管好壞的測(cè)量方法

2.用數(shù)字萬用表二極管檔正向測(cè)量5N60C的D-S兩極 。

測(cè)量5N60C好壞時(shí)
，首先將萬用表量程開關(guān)調(diào)至二極管檔，將5N60C的G極懸空 ，用紅黑表筆分別接觸5N60C的D-S兩極
，若是好的管子，萬用表顯示為“OL” ，即溢出（見上圖）
。

3.用數(shù)字萬用表二極管檔反向測(cè)量5N60C的D-S兩極。

然后調(diào)換紅黑表筆
，再去測(cè)量D-S兩極，則萬用表顯示的讀數(shù)為一個(gè)硅二極管的正向壓降（見上圖） 。

若MOS場(chǎng)效應(yīng)管內(nèi)部D-S兩極之間的寄生二極管擊穿損壞 ，用二極管檔測(cè)量時(shí)，萬用表顯示的讀數(shù)接近于零
。

4.用萬用表的二極管檔給5N60C柵源兩極（G-S兩極）之間的電容充電。對(duì)于N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管充電時(shí)
，紅表筆應(yīng)接管子的G極，黑表筆接管子的S極 。

在測(cè)量完5N60C的D-S兩極 ，并且確實(shí)是好的之后
，然后用二極管檔給MOS場(chǎng)效應(yīng)管的柵源兩極之間的電容充電
。

由于MOS場(chǎng)效應(yīng)管的輸入電阻在GΩ級(jí)（GΩ讀作吉?dú)W，1GΩ＝1000MΩ） ，數(shù)字萬用表二極管檔的開路測(cè)量電壓約為2.8～3V
，故用二極管檔的測(cè)量電壓給MOS場(chǎng)效應(yīng)管的柵源兩極之間的電容充電后，可以使MOS場(chǎng)效應(yīng)管D-S兩極之間的電阻變得很小 ，故用這個(gè)方法可以測(cè)量場(chǎng)效應(yīng)管G-S兩極之間是否損壞。

5.5N60C的G-S兩極間的電容充電后
，用電阻檔實(shí)測(cè)D-S兩極之間的正向電阻為155.4Ω 。

6.用萬用表電阻檔實(shí)測(cè)5N60C的D-S兩極之間的反向電阻為67.2Ω。

上面為一個(gè)好的N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管的測(cè)量數(shù)據(jù)
。對(duì)于P溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管的測(cè)量方法與上述測(cè)量一樣，只是萬用表表筆需要調(diào)換一下極性。

擴(kuò)展資料：

mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管 ，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體 。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的
，4腳mos管測(cè)好壞他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)
。在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的 ，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的 。

場(chǎng)效應(yīng)管（FET），把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化
。FET的增益等于它的transconductance
，定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道，詳情參考右側(cè)圖片（N溝道耗盡型MOS管） 。而P溝道常見的為低壓mos管
。

場(chǎng)效應(yīng)管通過投影一個(gè)電場(chǎng)在一個(gè)絕緣層上來影響流過晶體管的電流。事實(shí)上沒有電流流過這個(gè)絕緣體 ，所以FET管的GATE電流非常小 。

最普通的FET用一薄層二氧化硅來作為GATE極下的絕緣體
。這種晶體管稱為金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管
，或,金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）。因?yàn)镸OS管更小更省電，所以他們已經(jīng)在很多應(yīng)用場(chǎng)合取代了雙極型晶體管 。

請(qǐng)問使用萬用表如何檢測(cè)MOS管好壞

萬用表檢測(cè)MOS管好壞的簡(jiǎn)便方法

1.用黑表筆接在D極上 ，紅表筆接在S極上
，一般有一個(gè)500-600的阻值

2.在黑表筆不動(dòng)的前提下，用紅表筆點(diǎn)一下G極 ，然后再用紅表筆測(cè)S極
，就會(huì)出現(xiàn)導(dǎo)通

3.紅表筆接D極，黑表筆點(diǎn)一下G極后再接S極 ，測(cè)得的阻值和1測(cè)的是一樣的則說明MOS管工作正常

MOS管如何檢測(cè)其是否燒壞了？謝謝回答

測(cè)試MOS好壞只能用指針式萬用表才方便點(diǎn)
，測(cè)試時(shí)選擇歐姆R×10K檔，這時(shí)電壓可達(dá)10.5V ，紅筆是負(fù)電位，黑筆是正電位。

測(cè)試步驟：

MOS管的檢測(cè)主要是判斷MOS管漏電、短路 、斷路
、放大
。其步驟如下：

1、把紅筆接到MOS的源極S上
，黑筆接到MOS管的漏極上，好的表針指示應(yīng)該是無窮大。如果有阻值沒被測(cè)MOS管有漏電現(xiàn)象 。

2 、用一只100KΩ－200KΩ的電阻連在柵極和源極上 ，然后把紅筆接到MOS的源極S上
，黑筆接到MOS管的漏極上，這時(shí)表針指示的值一般是0 ，這時(shí)是下電荷通過這個(gè)電阻對(duì)MOS管的柵極充電
，產(chǎn)生柵極電場(chǎng)，由于電場(chǎng)產(chǎn)生導(dǎo)致導(dǎo)電溝道致使漏極和源極導(dǎo)通 ，故萬用表指針偏轉(zhuǎn)
，偏轉(zhuǎn)的角度大，放電性越好
。

3
、把連接?xùn)艠O和源極的電阻移開 ，萬用表紅黑筆不變
，如果移開電阻后表針慢慢逐步退回到高阻或無窮大，則MOS管漏電 ，不變則完好。

4、然后一根導(dǎo)線把MOS管的柵極和源極連接起來，如果指針立即返回?zé)o窮大
，則MOS完好 。

電路中MOS管的好壞該如何判斷？

一.紅左，黑中 、右無窮大黑左 ，紅中
、右無窮大紅中
，黑右無窮大；黑中紅右顯示530（左右）
。其實(shí)場(chǎng)效應(yīng)管三極管很好判斷：有字面朝上從左到右依次為：G、D 、S，有些管相反：S、D
、G。我修顯示器、主板 、電源都是從上面的方法測(cè)絕對(duì)沒問題 。你不信隨便拆塊板看一看 ，場(chǎng)效應(yīng)管在電路圖板的布局及應(yīng)VMOS大功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管的檢測(cè)
。

二．1判別各電極與管型。用萬用表R×100檔
，測(cè)量場(chǎng)效應(yīng)晶體管任意兩引腳之間的正
、反向電阻值 。其中一次測(cè)量中兩引腳的電阻值為數(shù)百歐姆，這時(shí)兩表筆所接的引腳為源極S和漏極D ，而另一引腳為柵極G
。再用萬用表R×10k檔測(cè)量?jī)梢_（漏極D與源極S）之間的正、反向電阻值。正常時(shí)
，正向電阻值為2kΩ左右，反向電阻值大于500kΩ 。在測(cè)量反向電阻值時(shí) ，紅表筆所接引腳不動(dòng)
，黑表筆脫離所接引腳后，先與柵極G觸碰一下 ，然后再去接原引腳，觀察萬用表讀數(shù)的變化情況。若萬用表讀數(shù)由原來較大阻值變?yōu)?
，則此紅表筆所接的即是源極S，黑表筆所接為漏極D
。用黑表筆觸發(fā)柵極G有效 ，說明該管為N溝道場(chǎng)效應(yīng)管。若萬用表讀數(shù)仍為較大值
，則黑表筆接回原引腳不變，改用紅表筆去觸碰柵極G后再接回原引腳 ，若此時(shí)萬用表讀數(shù)由原來阻值較大變?yōu)?
，則此時(shí)黑表筆接的為源極S，紅表筆接的是漏極D 。用表紅筆觸發(fā)柵極G有效 ，說明該管為P溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管
。

2．判別其好壞。用萬用表R×1k檔或R×10k檔
，測(cè)量場(chǎng)效應(yīng)管任意兩腳之間的正 、反向電阻值 。正常時(shí)，除漏極與源極的正向電阻值較小外 ，其余各引腳之間（G與D
、G與S）的正、反向電阻值均應(yīng)為無窮大
。若測(cè)得某兩極之間的電阻值接近0Ω
，則說明該管已擊穿損壞。另外，還可以用觸發(fā)柵極（P溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管用紅表筆觸發(fā) ，N溝道場(chǎng)效應(yīng)管用黑表筆觸發(fā)）的方法來判斷場(chǎng)應(yīng)管是否損壞 。若觸發(fā)有效（觸發(fā)柵極G后，D 、S極之間的正
、反向電阻均變?yōu)?）
，則可確定該管性能良好
。用吧三,1用10K檔,內(nèi)有15伏電池.可提供導(dǎo)通電壓.2因?yàn)闁艠O等效于電容,與任何腳不通,不論N管或P管都很容易找出柵極來,否則是壞管.3利用表筆對(duì)柵源間正向或反向充電,可使漏源通或斷,且由于柵極上電荷能保持,上述兩步可分先后,不必同步,方便.但要放電時(shí)需短路管腳或反充.4大都源漏間有反并二極管,應(yīng)注意,及幫助判斷.5大都封莊為字面對(duì)自已時(shí),左柵中漏右源。

電動(dòng)車控制器MOS管如何檢測(cè)好壞

首先,斷開控制器與電源連接，把控制器粗黑線與粗紅線碰接短路 ，這樣做的目的是放完內(nèi)部電容余電 。

然后
，把三根粗黃線對(duì)粗黑碰線短接，目的同上
。一定要放電后再進(jìn)行測(cè)量。這三根粗黃線實(shí)際上是三根相線 。

做完以上準(zhǔn)備工作后 ，按以下三個(gè)步驟操作
，即可判斷控制器好壞。

第一步：將萬用表置于二極管檔測(cè)量，用紅表筆接控制器負(fù)極 ，黑表筆依次測(cè)量控制器主線中的黃、綠 、藍(lán)線
，讀數(shù)約在500左右（數(shù)字萬用表），三次讀數(shù)應(yīng)基本一致
。

第二步：用萬用表黑表筆接控制器正極 ，紅表筆依次接控制器主線黃
、綠、藍(lán)線
，讀數(shù)約在500左右，三次讀數(shù)應(yīng)基本一致

第三步：如果第一 、二步的測(cè)量正常 ，則表示無刷控制器基本正常，把控制器與車體線路正常連接
，接通電源，拔掉制動(dòng)線 ，用萬用表電壓檔測(cè)量轉(zhuǎn)把5V電壓是否正常。

若以上測(cè)試正常
，表示控制器基本正常，否則可判定控制器損壞 。

擴(kuò)展資料

電動(dòng)車控制器的作用

1、驅(qū)動(dòng)電機(jī)旋轉(zhuǎn)
。

2
、在轉(zhuǎn)把的控制下改變電機(jī)驅(qū)動(dòng)電流 ，從而實(shí)現(xiàn)電機(jī)速度的調(diào)整。

3、在閘把（剎把）的控制下切斷輸出電流
，實(shí)現(xiàn)剎車控制 。

4 、對(duì)蓄電池電壓進(jìn)行檢測(cè)，在蓄電池存儲(chǔ)的電壓接近“放電終止電壓 ”時(shí) ，通過控制器面板（或儀表顯示盤）來顯示電量不足；提醒騎行者調(diào)整自己的行程
，當(dāng)達(dá)到終止電壓時(shí)，通過取樣電阻將該信號(hào)送到比較器 ，由電路輸出保護(hù)信號(hào)
，致使
、保護(hù)電路按預(yù)先設(shè)定的程序發(fā)出指令，切斷電流以保護(hù)充電器和蓄電池
。

5、過流保護(hù) ，電流過大時(shí)過流保護(hù)電路動(dòng)作，使電機(jī)停轉(zhuǎn)
，避免過流給電機(jī)和控制器帶來危害。另外，部分控制器還具有防飛車保護(hù) 、巡行限速等功能 。

MOS管用數(shù)字萬用表怎么測(cè)其好壞及引腳？

用數(shù)字萬用表測(cè)量MOS管好壞及引腳的方法：以N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管為例
。

一
、先確定MOS管的引腳：

1、先對(duì)MOS管放電 ，將三個(gè)腳短路即可；

1 、首先找出場(chǎng)效應(yīng)管的D極（漏極）。對(duì)于TO-252
、TO-220這類封裝的帶有散熱片的場(chǎng)效應(yīng)管
，它們的散熱片在內(nèi)部是與管子的D極相連的，故我們可用數(shù)字萬用表的二極管檔測(cè)量管子的各個(gè)引腳 ，哪個(gè)引腳與散熱片相連
，哪個(gè)引腳就是D極 。

2、找到D極后，將萬用表調(diào)至二極管檔；

3 、用黑表筆接觸管子的D極 ，用紅表筆分別接觸管子的另外兩個(gè)引腳
。若接觸到某個(gè)引腳時(shí)
，萬用表顯示的讀數(shù)為一個(gè)硅二極管的正向壓降，那么該引腳即為S極（源極） ，剩下的那個(gè)引腳即為G極（柵極）。

二
、MOS管好壞的測(cè)量：

1、當(dāng)把紅表筆放在S極上
，黑表筆放在D極上，可以測(cè)出來這個(gè)導(dǎo)通壓降 ，一般在0.5V左右為正常；

2 、G腳測(cè)量，需要先對(duì)G極充下電
，把紅表筆放在G極，黑表筆放在S極；

3、再次把紅表筆放在S極上 ，黑表筆放在D極上
，可以測(cè)出來這個(gè)放大壓降，一般在0.3V左右為正常；

擴(kuò)展資料

MOS管的主要參數(shù)

1
、開啟電壓VT

開啟電壓（又稱閾值電壓）：使得源極S和漏極D之間開始形成導(dǎo)電溝道所需的柵極電壓；

標(biāo)準(zhǔn)的N溝道MOS管 ，VT約為3～6V；通過工藝上的改進(jìn)
，可以使MOS管的VT值降到2～3V 。

2、直流輸入電阻RAH

即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比

這一特性有時(shí)以流過柵極的柵流表示

MOS管的RAH可以很容易地超過1010Ω。

3. 、漏源擊穿電壓BVDS

在VAH=0（增強(qiáng)型）的條件下，在增加漏源電壓過程中使ID開始劇增時(shí)的VDS稱為漏源擊穿電壓BVDS

ID劇增的原因有下列兩個(gè)方面：

（1）漏極附近耗盡層的雪崩擊穿；

（2）漏源極間的穿通擊穿；

有些MOS管中 ，其溝道長度較短
，不斷增加VDS會(huì)使漏區(qū)的耗盡層一直擴(kuò)展到源區(qū)，使溝道長度為零 ，即產(chǎn)生漏源間的穿通
，穿通后，源區(qū)中的多數(shù)載流子 ，將直接受耗盡層電場(chǎng)的吸引，到達(dá)漏區(qū)
，產(chǎn)生大的ID
。

4
、柵源擊穿電壓BVAH

在增加?xùn)旁措妷哼^程中，使柵極電流IG由零開始劇增時(shí)的VAH ，稱為柵源擊穿電壓BVAH。

5、低頻跨導(dǎo)gm

在VDS為某一固定數(shù)值的條件下
，漏極電流的微變量和引起這個(gè)變化的柵源電壓微變量之比稱為跨導(dǎo)；

gm反映了柵源電壓對(duì)漏極電流的控制能力，是表征MOS管放大能力的一個(gè)重要參數(shù)

一般在十分之幾至幾mA/V的范圍內(nèi)

6 、導(dǎo)通電阻RON

導(dǎo)通電阻RON說明了VDS對(duì)ID的影響 ，是漏極特性某一點(diǎn)切線的斜率的倒數(shù)

在飽和區(qū)
，ID幾乎不隨VDS改變，RON的數(shù)值很大 ，一般在幾十千歐到幾百千歐之間

由于在數(shù)字電路中
，MOS管導(dǎo)通時(shí)經(jīng)常工作在VDS=0的狀態(tài)下，所以這時(shí)的導(dǎo)通電阻RON可用原點(diǎn)的RON來近似

·對(duì)一般的MOS管而言 ，RON的數(shù)值在幾百歐以內(nèi)

7
、極間電容

三個(gè)電極之間都存在著極間電容：柵源電容CAH、柵漏電容CGD和漏源電容CDS

CAH和CGD約為1～3pF
，CDS約在0.1～1pF之間

8 、低頻噪聲系數(shù)NF

噪聲是由管子內(nèi)部載流子運(yùn)動(dòng)的不規(guī)則性所引起的 ?！び捎谒拇嬖?，就使一個(gè)放大器即便在沒有信號(hào)輸人時(shí) ，在輸出端也出現(xiàn)不規(guī)則的電壓或電流變化

噪聲性能的大小通常用噪聲系數(shù)NF來表示，它的單位為分貝（dB）
。這個(gè)數(shù)值越小
，代表管子所產(chǎn)生的噪聲越小

低頻噪聲系數(shù)是在低頻范圍內(nèi)測(cè)出的噪聲系數(shù)

場(chǎng)效應(yīng)管的噪聲系數(shù)約為幾個(gè)分貝，它比雙極性三極管的要小

4腳mos管測(cè)好壞的介紹就聊到這里吧 ，感謝你花時(shí)間閱讀本站內(nèi)容
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