如何判斷mos管的好壞？

一.紅左 ，黑中、右無(wú)窮大黑左，紅中 、右無(wú)窮大紅中
，黑右無(wú)窮大；黑中紅右顯示530（左右）。其實(shí)場(chǎng)效應(yīng)管三極管很好判斷：有字面朝上從左到右依次為：G、D
、S，有些管相反：S、D 、G 。我修顯示器
、主板、電源都是從上面的方法測(cè)絕對(duì)沒(méi)問(wèn)題。你不信隨便拆塊板看一看 ，場(chǎng)效應(yīng)管在電路圖板的布局及應(yīng)VMOS大功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管的檢測(cè)
。

二．1判別各電極與管型。用萬(wàn)用表R×100檔
，測(cè)量場(chǎng)效應(yīng)晶體管任意兩引腳之間的正 、反向電阻值 。其中一次測(cè)量中兩引腳的電阻值為數(shù)百歐姆，這時(shí)兩表筆所接的引腳為源極S和漏極D ，而另一引腳為柵極G
。再用萬(wàn)用表R×10k檔測(cè)量?jī)梢_（掘薯扒漏極D與源極S）之間的正
、反向電阻值。正常時(shí)
，正向電阻值為2kΩ左右，反向電阻值大于500kΩ 。在測(cè)量反向電阻值時(shí) ，紅表筆所接引腳不動(dòng)
，黑表筆脫離所接引腳后，先與柵極G觸碰一下 ，然后再去接原引腳
，觀察萬(wàn)用表讀數(shù)的變化情況
。若萬(wàn)用表讀數(shù)由原來(lái)較大阻值變?yōu)?，則此紅表筆所接的即是源極S ，黑表筆所接為漏極D。用黑表筆觸發(fā)柵極G有效，說(shuō)明該管為N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 。若萬(wàn)用表讀數(shù)仍為較大值
，則黑表筆接回原引腳不變，改用紅表筆去觸碰柵極G后再接回原引腳 ，若此時(shí)萬(wàn)用表讀數(shù)由原來(lái)阻值較大變?yōu)?
，則此時(shí)黑表筆接的為源極S，紅表筆接的是漏極D
。用表紅筆觸發(fā)柵極G有效 ，說(shuō)明該管為P溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

2．判別其好壞 。用萬(wàn)用表R×1k檔或R×10k檔
，測(cè)量場(chǎng)效應(yīng)管任意兩腳之間的正、反向電阻值
。正常時(shí)，除漏極與源極的正向電阻值較小外 ，其余各引腳之間（G與D 、G與S）的正
、反向電阻值均應(yīng)為無(wú)窮大。若測(cè)得某判昌兩極之間的電阻值接近0Ω
，則說(shuō)明該管已擊穿損壞 。另外，還可以用觸發(fā)柵極（P溝道場(chǎng)效應(yīng)手逗晶體管用紅表筆觸發(fā) ，N溝道場(chǎng)效應(yīng)管用黑表筆觸發(fā)）的方法來(lái)判斷場(chǎng)應(yīng)管是否損壞。若觸發(fā)有效（觸發(fā)柵極G后
，D、S極之間的正 、反向電阻均變?yōu)?），則可確定該管性能良好
。用吧三,1用10K檔,內(nèi)有15伏電池.可提供導(dǎo)通電壓.2因?yàn)闁艠O等效于電容,與任何腳不通,不論N管或P管都很容易找出柵極來(lái),否則是壞管.3利用表筆對(duì)柵源間正向或反向充電,可使漏源通或斷,且由于柵極上電荷能保持,上述兩步可分先后,不必同步,方便.但要放電時(shí)需短路管腳或反充.4大都源漏間有反并二極管,應(yīng)注意,及幫助判斷.5大都封莊為字面對(duì)自已時(shí),左柵中漏右源。

請(qǐng)問(wèn)使用萬(wàn)用表如何檢測(cè)MOS管好壞

萬(wàn)用表檢畝蠢困測(cè)MOS管好壞mos管檢測(cè)好壞視頻的簡(jiǎn)便方法

1.用黑表筆接在D極上mos管檢測(cè)好壞視頻 ，紅表筆接在S極上，一般有一個(gè)500-600mos管檢測(cè)好壞視頻的阻值

2.在黑表筆不動(dòng)的前提下
，用紅表筆點(diǎn)一下G極，然后再用紅表筆測(cè)S極 ，就會(huì)出現(xiàn)導(dǎo)通

3.紅表筆接D極
，黑檔槐表筆點(diǎn)一下G極后再接S極，測(cè)得的阻值和1測(cè)的是一樣的則迅念說(shuō)明MOS管工作正常

如何用萬(wàn)用表檢測(cè)MOS管是好是壞？

以N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管5N60C為例mos管檢測(cè)好壞視頻 ，來(lái)詳細(xì)介紹一下具體的測(cè)量方法 。

1.N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管好壞的測(cè)量方法

2.用數(shù)字萬(wàn)用表二極管檔正向測(cè)量5N60C的D-S兩極
。

測(cè)量5N60C好壞時(shí)mos管檢測(cè)好壞視頻
，首先將萬(wàn)用表量程開關(guān)調(diào)至二極管檔mos管檢測(cè)好壞視頻，將5N60C的G極懸空 ，用紅黑表筆分別接觸5N60C的D-S兩極
，若是好的管子，萬(wàn)用表顯示為“OL ” ，即溢出（見(jiàn)上圖）。

3.用數(shù)字萬(wàn)用表二極管檔反向測(cè)量5N60C的D-S兩極 。

然后調(diào)換紅黑表筆
，再去測(cè)量D-S兩極，則萬(wàn)用表顯示的讀數(shù)為一個(gè)硅二極管的正向壓降（見(jiàn)上圖）
。

若MOS場(chǎng)效應(yīng)管內(nèi)部D-S兩極之間的寄生二極管擊穿損壞 ，用二極管檔測(cè)量時(shí)，萬(wàn)用表顯示的讀數(shù)接近于零。

4.用萬(wàn)用表的二極管檔給5N60C柵源兩極（G-S兩極）之間的電容充電 。對(duì)于N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管充電時(shí)
，紅表筆應(yīng)接管子的G極，黑表筆接管子的S極
。

在測(cè)量完5N60C的D-S兩極 ，并且確實(shí)是好的之后
，然后用二極管檔給MOS場(chǎng)效應(yīng)管的柵源兩極之間的電容充電。

由于MOS場(chǎng)效應(yīng)管的簡(jiǎn)裂前輸入電阻在GΩ級(jí)（GΩ讀作吉?dú)W，1GΩ＝1000MΩ） ，數(shù)字萬(wàn)用表二極管檔的開路測(cè)量電壓約為2.8～3V
，故用二極管檔的測(cè)量電壓給MOS場(chǎng)效應(yīng)管的柵源兩極之間的電容充電后，可以使MOS場(chǎng)效應(yīng)管D-S兩極之間的電阻變得很小 ，故用這個(gè)方法可以測(cè)量場(chǎng)效應(yīng)管G-S兩極之間是否損壞 。

5.5N60C的G-S兩極間的電容充電后
，用電阻檔實(shí)測(cè)D-S兩極之間的正向電阻為155.4Ω
。

6.用萬(wàn)用表電阻檔實(shí)測(cè)5N60C的D-S兩極之間的反向電阻為67.2Ω。

上面為一個(gè)好的N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管的測(cè)量數(shù)據(jù) 。對(duì)于P溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管的測(cè)量方法與上述測(cè)量一樣，只是萬(wàn)用表表筆需要調(diào)換一下極性。

擴(kuò)展資料mos管檢測(cè)好壞視頻：

mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管 ，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體
。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的
，mos管檢測(cè)好壞視頻他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的 ，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能 。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的
。

場(chǎng)效應(yīng)管（FET），把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的transconductance
， 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比 。市面上常有攔清的一般為N溝道和P溝道，詳情參考右側(cè)圖片（N溝道耗盡型MOS管）
。而P溝道常見(jiàn)的為低壓mos管。

場(chǎng)效應(yīng)管通過(guò)投影一個(gè)電場(chǎng)在一個(gè)絕緣層上來(lái)影響流過(guò)晶體管的電流 。事實(shí)上沒(méi)有電流流過(guò)這個(gè)絕緣體 ，所以FET管的GATE電流非常小
。

最普通的FET用一薄層二氧化硅來(lái)作為GATE極下的絕緣體。這種晶體管稱為金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管
，或,金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET） 。因?yàn)镸OS管更小更省電，所以他們已經(jīng)在很多應(yīng)用場(chǎng)合取代了雙極源春型晶體管
。

mos管怎么測(cè)試好壞

測(cè)電阻法檢測(cè)MOS管是用萬(wàn)用表測(cè)量MOS管的源極與漏極
、柵極與源極、柵極與漏極 、柵極G1與柵極G2之間的電阻值同MOS管手冊(cè)標(biāo)明的電阻值是否相符去判別管的好壞。具體方法：首先將萬(wàn)用表置于R×10或R×100檔 ，測(cè)量源極S與漏極D之間的電阻
，通常在幾十歐到幾千歐范圍(在手冊(cè)中可知，各種不同型號(hào)的管 ，蘆薯其電阻值是各不相同的)
，如果測(cè)得阻值大于正常值，可能是由于內(nèi)部接觸不良;如果測(cè)得阻值是無(wú)窮大 ，可能是內(nèi)部斷極 。然后把萬(wàn)用表置于R×10k檔
，再測(cè)柵極G1與G2之間、柵極與源極
、柵極與漏極之間的電阻值，當(dāng)測(cè)得其各項(xiàng)電阻值均為無(wú)窮大 ，則陪御者說(shuō)明管是正常的;若測(cè)得上述各拆神阻值太小或?yàn)橥?，則說(shuō)明管是壞的。要注意
，若兩個(gè)柵極在管內(nèi)斷極，可用元件代換法進(jìn)行檢測(cè)
。

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