国产精品高潮,超碰在线免费,乱色精品无码一区二区国产盗,国产一级a爱做片免费☆观看

<u id="cpdmf"><track id="cpdmf"></track></u><button id="cpdmf"><listing id="cpdmf"></listing></button><p id="cpdmf"><nobr id="cpdmf"></nobr></p><button id="cpdmf"><listing id="cpdmf"></listing></button><button id="cpdmf"><dd id="cpdmf"><i id="cpdmf"></i></dd></button>

<button id="cpdmf"><listing id="cpdmf"><i id="cpdmf"></i></listing></button>
<p id="cpdmf"><dd id="cpdmf"><i id="cpdmf"></i></dd></p><p id="cpdmf"><dd id="cpdmf"><acronym id="cpdmf"></acronym></dd></p>
<p id="cpdmf"></p>
<p id="cpdmf"><dd id="cpdmf"><i id="cpdmf"></i></dd></p>

<button id="cpdmf"></button>
0755-33653221
歡迎光臨深圳市振邦微科技官網(wǎng)

在線
客服

在線客服服務(wù)時(shí)間:9:00-22:00

需添加QQ號(hào)碼為好友進(jìn)行咨詢:

技術(shù)
熱線

131-4842-9910
7*12小時(shí)客服服務(wù)熱線

頂部

4n65emos管怎么測(cè)好壞_怎樣測(cè)量5n60管子好壞

振邦微科技 2023-03-22 18:33:08 4N60 870 ℃ 3 評(píng)論

mos管用數(shù)字萬(wàn)用表怎么測(cè)其好壞及引腳?

用數(shù)字萬(wàn)用表測(cè)量MOS管好壞及引腳的方法:以N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管為例 。

一、先確定MOS管的引腳:

1 、先對(duì)MOS管放電,將三個(gè)腳短路即可;

1、首先找出場(chǎng)效應(yīng)管的D極(漏極)。對(duì)于TO-252、TO-220這類封裝的帶有散熱片的場(chǎng)效應(yīng)管 ,它們的散熱片在內(nèi)部是與管子的D極相連的,故我們可用數(shù)字萬(wàn)用表的二極管檔測(cè)量管子的各個(gè)引腳,哪個(gè)引腳與散熱片相連 ,哪個(gè)引腳就是D極。

2 、找到D極后,將萬(wàn)用表調(diào)至二極管檔;

3、用黑表筆接觸管子的D極,用紅表筆分別接觸管子的另外兩個(gè)引腳 。若接觸到某個(gè)引腳時(shí) ,萬(wàn)用表顯示的讀數(shù)為一個(gè)硅二極管的正向壓降 ,那么該引腳即為S極(源極),剩下的那個(gè)引腳即為G極(柵極)。

二、MOS管好壞的測(cè)量:

1 、當(dāng)把紅表筆放在S極上,黑表筆放在D極上 ,可以測(cè)出來(lái)這個(gè)導(dǎo)通壓降,一般在0.5V左右為正常;

2 、G腳測(cè)量,需要先對(duì)G極充下電 ,把紅表筆放在G極,黑表筆放在S極;

3、再次把紅表筆放在S極上,黑表筆放在D極上 ,可以測(cè)出來(lái)這個(gè)放大壓降,一般在0.3V左右為正常;

擴(kuò)展資料

MOS管的主要參數(shù)

1、開(kāi)啟電壓VT

開(kāi)啟電壓(又稱閾值電壓):使得源極S和漏極D之間開(kāi)始形成導(dǎo)電溝道所需的柵極電壓;

標(biāo)準(zhǔn)的N溝道MOS管,VT約為3~6V;通過(guò)工藝上的改進(jìn) ,可以使MOS管的VT值降到2~3V。

2 、直流輸入電阻RAH

即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比

這一特性有時(shí)以流過(guò)柵極的柵流表示

MOS管的RAH可以很容易地超過(guò)1010Ω 。

3.、漏源擊穿電壓BVDS

在VAH=0(增強(qiáng)型)的條件下,在增加漏源電壓過(guò)程中使ID開(kāi)始劇增時(shí)的VDS稱為漏源擊穿電壓BVDS

ID劇增的原因有下列兩個(gè)方面:

(1)漏極附近耗盡層的雪崩擊穿;

(2)漏源極間的穿通擊穿;

有些MOS管中,其溝道長(zhǎng)度較短 ,不斷增加VDS會(huì)使漏區(qū)的耗盡層一直擴(kuò)展到源區(qū) ,使溝道長(zhǎng)度為零,即產(chǎn)生漏源間的穿通,穿通后 ,源區(qū)中的多數(shù)載流子,將直接受耗盡層電場(chǎng)的吸引,到達(dá)漏區(qū) ,產(chǎn)生大的ID 。

4、柵源擊穿電壓BVAH

在增加?xùn)旁措妷哼^(guò)程中,使柵極電流IG由零開(kāi)始劇增時(shí)的VAH,稱為柵源擊穿電壓BVAH。

5 、低頻跨導(dǎo)gm

在VDS為某一固定數(shù)值的條件下 ,漏極電流的微變量和引起這個(gè)變化的柵源電壓微變量之比稱為跨導(dǎo);

gm反映了柵源電壓對(duì)漏極電流的控制能力,是表征MOS管放大能力的一個(gè)重要參數(shù)

一般在十分之幾至幾mA/V的范圍內(nèi)

6、導(dǎo)通電阻RON

導(dǎo)通電阻RON說(shuō)明了VDS對(duì)ID的影響,是漏極特性某一點(diǎn)切線的斜率的倒數(shù)

在飽和區(qū) ,ID幾乎不隨VDS改變,RON的數(shù)值很大,一般在幾十千歐到幾百千歐之間

由于在數(shù)字電路中 ,MOS管導(dǎo)通時(shí)經(jīng)常工作在VDS=0的狀態(tài)下 ,所以這時(shí)的導(dǎo)通電阻RON可用原點(diǎn)的RON來(lái)近似

·對(duì)一般的MOS管而言,RON的數(shù)值在幾百歐以內(nèi)

7、極間電容

三個(gè)電極之間都存在著極間電容:柵源電容CAH 、柵漏電容CGD和漏源電容CDS

CAH和CGD約為1~3pF,CDS約在0.1~1pF之間

8、低頻噪聲系數(shù)NF

噪聲是由管子內(nèi)部載流子運(yùn)動(dòng)的不規(guī)則性所引起的?!び捎谒拇嬖? ,就使一個(gè)放大器即便在沒(méi)有信號(hào)輸人時(shí),在輸出端也出現(xiàn)不規(guī)則的電壓或電流變化

噪聲性能的大小通常用噪聲系數(shù)NF來(lái)表示,它的單位為分貝(dB) 。這個(gè)數(shù)值越小 ,代表管子所產(chǎn)生的噪聲越小

低頻噪聲系數(shù)是在低頻范圍內(nèi)測(cè)出的噪聲系數(shù)

場(chǎng)效應(yīng)管的噪聲系數(shù)約為幾個(gè)分貝,它比雙極性三極管的要小

4n65emos管怎么測(cè)好壞_怎樣測(cè)量5n60管子好壞,第1張

怎么用萬(wàn)用表測(cè)量MOS管的好壞?

以N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管5N60C為例4n65emos管怎么測(cè)好壞,來(lái)詳細(xì)介紹一下具體4n65emos管怎么測(cè)好壞的測(cè)量方法。

1.N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管好壞4n65emos管怎么測(cè)好壞的測(cè)量方法

2.用數(shù)字萬(wàn)用表二極管檔正向測(cè)量5N60C的D-S兩極。

測(cè)量5N60C好壞時(shí) ,首先將萬(wàn)用表量程開(kāi)關(guān)調(diào)至二極管檔,將5N60C的G極懸空,用紅黑表筆分別接觸5N60C的D-S兩極 ,若是好的管子,萬(wàn)用表顯示為“OL”,即溢出(見(jiàn)上圖) 。

3.用數(shù)字萬(wàn)用表二極管檔反向測(cè)量5N60C的D-S兩極。

然后調(diào)換紅黑表筆 ,再去測(cè)量D-S兩極 ,則萬(wàn)用表顯示的讀數(shù)為一個(gè)硅二極管的正向壓降(見(jiàn)上圖)。

若MOS場(chǎng)效應(yīng)管內(nèi)部D-S兩極之間的寄生二極管擊穿損壞,用二極管檔測(cè)量時(shí),萬(wàn)用表顯示的讀數(shù)接近于零 。

4.用萬(wàn)用表的二極管檔給5N60C柵源兩極(G-S兩極)之間的電容充電。對(duì)于N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管充電時(shí) ,紅表筆應(yīng)接管子的G極,黑表筆接管子的S極。

在測(cè)量完5N60C的D-S兩極,并且確實(shí)是好的之后 ,然后用二極管檔給MOS場(chǎng)效應(yīng)管的柵源兩極之間的電容充電 。

由于MOS場(chǎng)效應(yīng)管的輸入電阻在GΩ級(jí)(GΩ讀作吉?dú)W,1GΩ=1000MΩ),數(shù)字萬(wàn)用表二極管檔的開(kāi)路測(cè)量電壓約為2.8~3V ,故用二極管檔的測(cè)量電壓給MOS場(chǎng)效應(yīng)管的柵源兩極之間的電容充電后,可以使MOS場(chǎng)效應(yīng)管D-S兩極之間的電阻變得很小,故用這個(gè)方法可以測(cè)量場(chǎng)效應(yīng)管G-S兩極之間是否損壞。

5.5N60C的G-S兩極間的電容充電后 ,用電阻檔實(shí)測(cè)D-S兩極之間的正向電阻為155.4Ω。

6.用萬(wàn)用表電阻檔實(shí)測(cè)5N60C的D-S兩極之間的反向電阻為67.2Ω 。

上面為一個(gè)好的N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管的測(cè)量數(shù)據(jù) 。對(duì)于P溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管的測(cè)量方法與上述測(cè)量一樣,只是萬(wàn)用表表筆需要調(diào)換一下極性。

擴(kuò)展資料4n65emos管怎么測(cè)好壞

mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的 ,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū) 。在多數(shù)情況下 ,這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的,即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的。

場(chǎng)效應(yīng)管(FET),把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化 。FET的增益等于它的transconductance ,定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道,詳情參考右側(cè)圖片(N溝道耗盡型MOS管)。而P溝道常見(jiàn)的為低壓mos管 。

場(chǎng)效應(yīng)管通過(guò)投影一個(gè)電場(chǎng)在一個(gè)絕緣層上來(lái)影響流過(guò)晶體管的電流。事實(shí)上沒(méi)有電流流過(guò)這個(gè)絕緣體,所以FET管的GATE電流非常小。

最普通的FET用一薄層二氧化硅來(lái)作為GATE極下的絕緣體 。這種晶體管稱為金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管 ,或,金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)。因?yàn)镸OS管更小更省電,所以他們已經(jīng)在很多應(yīng)用場(chǎng)合取代4n65emos管怎么測(cè)好壞了雙極型晶體管。

MOS管如何檢測(cè)其是否燒壞了?謝謝回答

測(cè)試MOS好壞只能用指針式萬(wàn)用表才方便點(diǎn)4n65emos管怎么測(cè)好壞,測(cè)試時(shí)選擇歐姆R×10K檔4n65emos管怎么測(cè)好壞 ,這時(shí)電壓可達(dá)10.5V4n65emos管怎么測(cè)好壞,紅筆是負(fù)電位,黑筆是正電位 。

測(cè)試步驟4n65emos管怎么測(cè)好壞

MOS管4n65emos管怎么測(cè)好壞的檢測(cè)主要是判斷MOS管漏電、短路 、斷路、放大 。其步驟如下:

1、把紅筆接到MOS的源極S上 ,黑筆接到MOS管的漏極上,好的表針指示應(yīng)該是無(wú)窮大。如果有阻值沒(méi)被測(cè)MOS管有漏電現(xiàn)象。

2 、用一只100KΩ-200KΩ的電阻連在柵極和源極上,然后把紅筆接到MOS的源極S上 ,黑筆接到MOS管的漏極上 ,這時(shí)表針指示的值一般是0,這時(shí)是下電荷通過(guò)這個(gè)電阻對(duì)MOS管的柵極充電,產(chǎn)生柵極電場(chǎng) ,由于電場(chǎng)產(chǎn)生導(dǎo)致導(dǎo)電溝道致使漏極和源極導(dǎo)通,故萬(wàn)用表指針偏轉(zhuǎn),偏轉(zhuǎn)的角度大 ,放電性越好 。

3 、把連接?xùn)艠O和源極的電阻移開(kāi),萬(wàn)用表紅黑筆不變,如果移開(kāi)電阻后表針慢慢逐步退回到高阻或無(wú)窮大 ,則MOS管漏電,不變則完好。

4、然后一根導(dǎo)線把MOS管的柵極和源極連接起來(lái),如果指針立即返回?zé)o窮大 ,則MOS完好。

mos管怎么測(cè)試好壞

用萬(wàn)能表檢測(cè)mos管好壞的方法:

將萬(wàn)用表兩個(gè)表筆分別搭接在其他兩個(gè)極:給B極與任意一個(gè)極接一個(gè)10千歐姆電阻,電阻先不要接上,把表筆分別放在兩級(jí) ,電阻這時(shí)再接觸 ,指針擺動(dòng)越大證明該管子放大系數(shù)就越大,也就是說(shuō)該管子就越好,反之越差 。

接電阻的那一端為C極;若是紅表筆為P管 ,黑表筆為N管。凡是不符合以上測(cè)量數(shù)據(jù)的三極管都是壞的。

萬(wàn)用表的相關(guān)要求規(guī)定:

1、指針表讀取精度較差,但指針擺動(dòng)的過(guò)程比較直觀,其擺動(dòng)速度幅度有時(shí)也能比較客觀地反映了被測(cè)量的大?。ū热鐪y(cè)電視機(jī)數(shù)據(jù)總線(SDL)在傳送數(shù)據(jù)時(shí)的輕微抖動(dòng));數(shù)字表讀數(shù)直觀 ,但數(shù)字變化的過(guò)程看起來(lái)很雜亂,不太容易觀看 。

2 、數(shù)字萬(wàn)用表的準(zhǔn)確度是測(cè)量結(jié)果中系統(tǒng)誤差與隨機(jī)誤差的綜合。它表示測(cè)量值與真值的一致程度,也反映測(cè)量誤差的大小。一般講準(zhǔn)確度愈高 ,測(cè)量誤差就愈小,反之亦然 。

3、指針表內(nèi)一般有兩塊電池,一塊低電壓的1.5V,一塊是高電壓的9V或15V,其黑表筆相對(duì)紅表筆來(lái)說(shuō)是正端。數(shù)字表則常用一塊6V或9V的電池。在電阻檔 ,指針表的表筆輸出電流相對(duì)數(shù)字表來(lái)說(shuō)要大很多,用R×1Ω檔可以使揚(yáng)聲器發(fā)出響亮的“噠 ”聲,用R×10kΩ檔甚至可以點(diǎn)亮發(fā)光二極管 。

根據(jù)客戶要求的不同 ,我司有針對(duì)4n65emos管怎么測(cè)好壞產(chǎn)品多種技術(shù)處理方案 ,技術(shù)資料也有所不同,所以不能直接呈現(xiàn),有需求的客戶請(qǐng)與聯(lián)系我們洽淡13715099949/聯(lián)系13715099949/13247610001 ,謝謝!



推薦閱讀:

ic是什么的縮寫?

3.7v升12v芯片,PCB及電源模塊

5v升壓12v800AM方案(5v轉(zhuǎn)12v升壓模塊)

本文標(biāo)簽:4n65emos管怎么測(cè)好壞控制

版權(quán)說(shuō)明:如非注明,本站文章均為 深圳市振邦微科技有限公司-220v轉(zhuǎn)12v|220v轉(zhuǎn)5v|電源模塊|升降壓芯片 原創(chuàng),轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處和附帶本文鏈接。

深圳市振邦微科技提供:220v轉(zhuǎn)12v、220v轉(zhuǎn)5v芯片、電源模塊、 升降壓芯片、無(wú)線發(fā)射ic、PWM調(diào)光芯片、收音ic及電路圖,專業(yè) 的DCDC電源方案商,如需咨詢請(qǐng)聯(lián)系深圳市振邦微電子