電動(dòng)車控制器mos管如何檢測好壞

首先,斷開控制器與電源連接如何檢測mos管好壞，把控制器粗黑線與粗紅線碰接短路如何檢測mos管好壞 ，這樣做的目的是放完內(nèi)部電容余電。

然后如何檢測mos管好壞
，把三根粗黃線對(duì)粗黑碰線短接如何檢測mos管好壞，目的同上 。一定要放電后再進(jìn)行測量
。這三根粗黃線實(shí)際上是三根相線。

做完以上準(zhǔn)備工作后 ，按以下三個(gè)步驟操作
，即可判斷控制器好壞 。

第一步：將萬用表置于二極管檔測量，用紅表筆接控制器負(fù)極 ，黑表筆依次測量控制器主線中的黃 、綠
、藍(lán)線，讀數(shù)約在500左右（數(shù)字萬用表）
，三次讀數(shù)應(yīng)基本一致
。

第二步：用萬用表黑表筆接控制器正極，紅表筆依次接控制器主線黃、綠 、藍(lán)線 ，讀數(shù)約在500左右
，三次讀數(shù)應(yīng)基本一致

第三步：如果第一
、二步的測量正常，則表示無刷控制器基本正常 ，把控制器與車體線路正常連接
，接通電源，拔掉制動(dòng)線 ，用萬用表電壓檔測量轉(zhuǎn)把5V電壓是否正常。

若以上測試正常
，表示控制器基本正常，否則可判定控制器損壞 。

擴(kuò)展資料

電動(dòng)車控制器的作用

1、驅(qū)動(dòng)電機(jī)旋轉(zhuǎn)。

2 、在轉(zhuǎn)把的控制下改變電機(jī)驅(qū)動(dòng)電流 ，從而實(shí)現(xiàn)電機(jī)速度的調(diào)整
。

3、在閘把（剎把）的控制下切斷輸出電流
，實(shí)現(xiàn)剎車控制。

4
、對(duì)蓄電池電壓進(jìn)行檢測，在蓄電池存儲(chǔ)的電壓接近“放電終止電壓 ”時(shí) ，通過控制器面板（或儀表顯示盤）來顯示電量不足如何檢測mos管好壞；提醒騎行者調(diào)整自己的行程，當(dāng)達(dá)到終止電壓時(shí)
，通過取樣電阻將該信號(hào)送到比較器，由電路輸出保護(hù)信號(hào) ，致使、保護(hù)電路按預(yù)先設(shè)定的程序發(fā)出指令
，切斷電流以保護(hù)充電器和蓄電池 。

5 、過流保護(hù)，電流過大時(shí)過流保護(hù)電路動(dòng)作 ，使電機(jī)停轉(zhuǎn)
，避免過流給電機(jī)和控制器帶來危害
。另外，部分控制器還具有防飛車保護(hù)
、巡行限速等功能。

MOS管用數(shù)字萬用表怎么測其好壞及引腳？

用數(shù)字萬用表測量MOS管好壞及引腳如何檢測mos管好壞的方法：以N溝道MOS場效應(yīng)管為例 。

一、先確定MOS管的引腳：

1 、先對(duì)MOS管放電如何檢測mos管好壞 ，將三個(gè)腳短路即可；

1
、首先找出場效應(yīng)管的D極（漏極）
。對(duì)于TO-252、TO-220這類封裝的帶有散熱片的場效應(yīng)管如何檢測mos管好壞
，它們的散熱片在內(nèi)部是與管子的D極相連的，故我們可用數(shù)字萬用表的二極管檔測量管子的各個(gè)引腳 ，哪個(gè)引腳與散熱片相連
，哪個(gè)引腳就是D極。

2 、找到D極后，將萬用表調(diào)至二極管檔；

3
、用黑表筆接觸管子的D極 ，用紅表筆分別接觸管子的另外兩個(gè)引腳 。若接觸到某個(gè)引腳時(shí)，萬用表顯示的讀數(shù)為一個(gè)硅二極管的正向壓降
，那么該引腳即為S極（源極），剩下的那個(gè)引腳即為G極（柵極）
。

二、MOS管好壞的測量：

1 、當(dāng)把紅表筆放在S極上 ，黑表筆放在D極上
，可以測出來這個(gè)導(dǎo)通壓降，一般在0.5V左右為正常；

2
、G腳測量 ，需要先對(duì)G極充下電
，把紅表筆放在G極，黑表筆放在S極；

3、再次把紅表筆放在S極上 ，黑表筆放在D極上
，可以測出來這個(gè)放大壓降，一般在0.3V左右為正常；

擴(kuò)展資料

MOS管的主要參數(shù)

1 、開啟電壓VT

開啟電壓（又稱閾值電壓）：使得源極S和漏極D之間開始形成導(dǎo)電溝道所需的柵極電壓；

標(biāo)準(zhǔn)的N溝道MOS管 ，VT約為3～6V；通過工藝上的改進(jìn)
，可以使MOS管的VT值降到2～3V。

2、直流輸入電阻RAH

即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比

這一特性有時(shí)以流過柵極的柵流表示

MOS管的RAH可以很容易地超過1010Ω 。

3.
、漏源擊穿電壓BVDS

在VAH=0（增強(qiáng)型）的條件下，在增加漏源電壓過程中使ID開始劇增時(shí)的VDS稱為漏源擊穿電壓BVDS

ID劇增的原因有下列兩個(gè)方面：

（1）漏極附近耗盡層的雪崩擊穿；

（2）漏源極間的穿通擊穿；

有些MOS管中 ，其溝道長度較短，不斷增加VDS會(huì)使漏區(qū)的耗盡層一直擴(kuò)展到源區(qū)
，使溝道長度為零，即產(chǎn)生漏源間的穿通 ，穿通后
，源區(qū)中的多數(shù)載流子，將直接受耗盡層電場的吸引 ，到達(dá)漏區(qū)
，產(chǎn)生大的ID
。

4、柵源擊穿電壓BVAH

在增加?xùn)旁措妷哼^程中，使柵極電流IG由零開始劇增時(shí)的VAH ，稱為柵源擊穿電壓BVAH。

5 、低頻跨導(dǎo)gm

在VDS為某一固定數(shù)值的條件下
，漏極電流的微變量和引起這個(gè)變化的柵源電壓微變量之比稱為跨導(dǎo)；

gm反映如何檢測mos管好壞了柵源電壓對(duì)漏極電流的控制能力，是表征MOS管放大能力的一個(gè)重要參數(shù)

一般在十分之幾至幾mA/V的范圍內(nèi)

6
、導(dǎo)通電阻RON

導(dǎo)通電阻RON說明了VDS對(duì)ID的影響 ，是漏極特性某一點(diǎn)切線的斜率的倒數(shù)

在飽和區(qū)
，ID幾乎不隨VDS改變，RON的數(shù)值很大 ，一般在幾十千歐到幾百千歐之間

由于在數(shù)字電路中，MOS管導(dǎo)通時(shí)經(jīng)常工作在VDS=0的狀態(tài)下
，所以這時(shí)的導(dǎo)通電阻RON可用原點(diǎn)的RON來近似

·對(duì)一般的MOS管而言，RON的數(shù)值在幾百歐以內(nèi)

7、極間電容

三個(gè)電極之間都存在著極間電容：柵源電容CAH 、柵漏電容CGD和漏源電容CDS

CAH和CGD約為1～3pF ，CDS約在0.1～1pF之間

8
、低頻噪聲系數(shù)NF

噪聲是由管子內(nèi)部載流子運(yùn)動(dòng)的不規(guī)則性所引起的 。·由于它的存在
，就使一個(gè)放大器即便在沒有信號(hào)輸人時(shí)，在輸出端也出現(xiàn)不規(guī)則的電壓或電流變化

噪聲性能的大小通常用噪聲系數(shù)NF來表示 ，它的單位為分貝（dB）。這個(gè)數(shù)值越小
，代表管子所產(chǎn)生的噪聲越小

低頻噪聲系數(shù)是在低頻范圍內(nèi)測出的噪聲系數(shù)

場效應(yīng)管的噪聲系數(shù)約為幾個(gè)分貝，它比雙極性三極管的要小

mos管怎么測試好壞

測電阻法檢測MOS管是用萬用表測量MOS管的源極與漏極、柵極與源極 、柵極與漏極
、柵極G1與柵極G2之間的電阻值同MOS管手冊(cè)標(biāo)明的電阻值是否相符去判別管的好壞
。具體方法如何檢測mos管好壞：首先將萬用表置于R×10或R×100檔如何檢測mos管好壞 ，測量源極S與漏極D之間的電阻
，通常在幾十歐到幾千歐范圍(在手冊(cè)中可知，各種不同型號(hào)的管 ，其電阻值是各不相同的)
，如果測得阻值大于正常值，可能是由于內(nèi)部接觸不良;如果測得阻值是無窮大 ，可能是內(nèi)部斷極。然后把萬用表置于R×10k檔，再測柵極G1與G2之間、柵極與源極 、柵極與漏極之間的電阻值
，當(dāng)測得其各項(xiàng)電阻值均為無窮大，則說明管是正常的;若測得上述各阻值太小或?yàn)橥?，則說明管是壞的 。要注意
，若兩個(gè)柵極在管內(nèi)斷極，可用元件代換法進(jìn)行檢測
。

MOS管的好壞如何鑒別

用數(shù)字萬用表判斷MOS管的好壞

一.紅左如何檢測mos管好壞 ，黑中
、右 無窮大

黑左
， 紅中、右 無窮大

紅中，黑右 無窮大如何檢測mos管好壞；

黑中紅右顯示530（左右）。

其實(shí)場效應(yīng)管三極管很好判斷：有字面朝上從左到右依次為：G 、D、S ，有些管相反：S
、D、G 。我修顯示器 、主板
、電源都是從上面的方法測絕對(duì)沒問題
。你不信隨便拆塊板看一看
，場效應(yīng)管在電路圖板的布局及應(yīng)VMOS大功率場效應(yīng)晶體管的檢測

二．1判別各電極與管型

用萬用表R×100檔，測量場效應(yīng)晶體管任意兩引腳之間的正、反向電阻值。其中一次測量中兩引腳的電阻值為數(shù)百歐姆 ，這時(shí)兩表筆所接的引腳為源極S和漏極D
，而另一引腳為柵極G 。

再用萬用表R×10k檔測量兩引腳（漏極D與源極S）之間的正 、反向電阻值
。正常時(shí)，正向電阻值為2kΩ左右 ，反向電阻值大于500kΩ。

在測量反向電阻值時(shí)，紅表筆所接引腳不動(dòng)
，黑表筆脫離所接引腳后，先與柵極G觸碰一下 ，然后再去接原引腳
，觀察萬用表讀數(shù)的變化情況 。若萬用表讀數(shù)由原來較大阻值變?yōu)?，則此紅表筆所接的即是源極S ，黑表筆所接為漏極D
。用黑表筆觸發(fā)柵極G有效
，說明該管為N溝道場效應(yīng)管。若萬用表讀數(shù)仍為較大值，則黑表筆接回原引腳不變 ，改用紅表筆去觸碰柵極G后再接回原引腳
，若此時(shí)萬用表讀數(shù)由原來阻值較大變?yōu)?，則此時(shí)黑表筆接的為源極S ，紅表筆接的是漏極D 。用表紅筆觸發(fā)柵極G有效
，說明該管為P溝道場效應(yīng)晶體管。

2．判別其好壞

用萬用表R×1k檔或R×10k檔，測量場效應(yīng)管任意兩腳之間的正
、反向電阻值
。正常時(shí) ，除漏極與源極的正向電阻值較小外，其余各引腳之間（G與D、G與S）的正 、反向電阻值均應(yīng)為無窮大。若測得某兩極之間的電阻值接近0Ω
，則說明該管已擊穿損壞 。

另外，還可以用觸發(fā)柵極（P溝道場效應(yīng)晶體管用紅表筆觸發(fā) ，N溝道場效應(yīng)管用黑表筆觸發(fā)）的方法來判斷場應(yīng)管是否損壞
。若觸發(fā)有效（觸發(fā)柵極G后
，D
、S極之間的正、反向電阻均變?yōu)?），則可確定該管性能良好。

用吧

三,1 用10K檔,內(nèi)有15伏電池.可提供導(dǎo)通電壓.

2 因?yàn)闁艠O等效于電容,與任何腳不通,

不論N管或P管都很容易找出柵極來,否則是壞管.

3 利用表筆對(duì)柵源間正向或反向充電,可使漏源通或斷,

且由于柵極上電荷能保持,上述兩步可分先后,不必同步,方便.

但要放電時(shí)需短路管腳或反充.

4 大都源漏間有反并二極管,應(yīng)注意,及幫助判斷.

5 大都封莊為字面對(duì)自已時(shí),左柵中漏右源.

以上前三點(diǎn)必需掌握,后兩點(diǎn)靈活運(yùn)用,很快就能判管腳,分好壞.

MOS管的好壞如何判斷

用萬用表R×1k檔或R×10k檔如何檢測mos管好壞 ，測量場效應(yīng)管任意兩腳之間如何檢測mos管好壞的正 、反向電阻值 。正常時(shí)
，除漏極與源極如何檢測mos管好壞的正向電阻值較小外，其余各引腳之間（G與D
、G與S）的正、反向電阻值均應(yīng)為無窮大
。若測得某兩極之間的電阻值接近0Ω ，則說明該管已擊穿損壞。

另外
，還可以用觸發(fā)柵極（P溝道場效應(yīng)晶體管用紅表筆觸發(fā)，N溝道場效應(yīng)管用黑表筆觸發(fā)）的方法來判斷場應(yīng)管是否損壞 。若觸發(fā)有效（觸發(fā)柵極G后 ，D 、S極之間的正、反向電阻均變?yōu)?）
，則可確定該管性能良好
。

怎么用萬用表測量MOS管的好壞?

以N溝道MOS場效應(yīng)管5N60C為例，來詳細(xì)介紹一下具體的測量方法。

1.N溝道MOS場效應(yīng)管好壞的測量方法

2.用數(shù)字萬用表二極管檔正向測量5N60C的D-S兩極 。

測量5N60C好壞時(shí) ，首先將萬用表量程開關(guān)調(diào)至二極管檔，將5N60C的G極懸空
，用紅黑表筆分別接觸5N60C的D-S兩極，若是好的管子 ，萬用表顯示為“OL
”
，即溢出（見上圖）
。

3.用數(shù)字萬用表二極管檔反向測量5N60C的D-S兩極。

然后調(diào)換紅黑表筆，再去測量D-S兩極 ，則萬用表顯示的讀數(shù)為一個(gè)硅二極管的正向壓降（見上圖） 。

若MOS場效應(yīng)管內(nèi)部D-S兩極之間的寄生二極管擊穿損壞
，用二極管檔測量時(shí)，萬用表顯示的讀數(shù)接近于零。

4.用萬用表的二極管檔給5N60C柵源兩極（G-S兩極）之間的電容充電
。對(duì)于N溝道MOS場效應(yīng)管充電時(shí) ，紅表筆應(yīng)接管子的G極
，黑表筆接管子的S極。

在測量完5N60C的D-S兩極，并且確實(shí)是好的之后 ，然后用二極管檔給MOS場效應(yīng)管的柵源兩極之間的電容充電 。

由于MOS場效應(yīng)管的輸入電阻在GΩ級(jí)（GΩ讀作吉?dú)W
，1GΩ＝1000MΩ），數(shù)字萬用表二極管檔的開路測量電壓約為2.8～3V ，故用二極管檔的測量電壓給MOS場效應(yīng)管的柵源兩極之間的電容充電后，可以使MOS場效應(yīng)管D-S兩極之間的電阻變得很小
，故用這個(gè)方法可以測量場效應(yīng)管G-S兩極之間是否損壞
。

5.5N60C的G-S兩極間的電容充電后，用電阻檔實(shí)測D-S兩極之間的正向電阻為155.4Ω。

6.用萬用表電阻檔實(shí)測5N60C的D-S兩極之間的反向電阻為67.2Ω 。

上面為一個(gè)好的N溝道MOS場效應(yīng)管的測量數(shù)據(jù)
。對(duì)于P溝道MOS場效應(yīng)管的測量方法與上述測量一樣 ，只是萬用表表筆需要調(diào)換一下極性。

擴(kuò)展資料：

mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管
，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體 。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)
。在多數(shù)情況下 ，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的
，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的 。

場效應(yīng)管（FET），把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化
。FET的增益等于它的transconductance ，定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道
，詳情參考右側(cè)圖片（N溝道耗盡型MOS管） 。而P溝道常見的為低壓mos管。

場效應(yīng)管通過投影一個(gè)電場在一個(gè)絕緣層上來影響流過晶體管的電流
。事實(shí)上沒有電流流過這個(gè)絕緣體，所以FET管的GATE電流非常小。

最普通的FET用一薄層二氧化硅來作為GATE極下的絕緣體 。這種晶體管稱為金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管 ，或,金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（MOSFET）
。因?yàn)镸OS管更小更省電
，所以他們已經(jīng)在很多應(yīng)用場合取代了雙極型晶體管。

根據(jù)客戶要求的不同，我司有針對(duì)如何檢測mos管好壞產(chǎn)品多種技術(shù)處理方案 ，技術(shù)資料也有所不同，所以不能直接呈現(xiàn)
，有需求的客戶請(qǐng)與聯(lián)系我們洽淡13715099949/聯(lián)系13715099949/13247610001，謝謝！